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产品详情
产品名称:468英寸硅基氮化镓HEMT外延片

南京诺德新能源科技有限公司一直致力于4/6/8英寸硅氮化镓外延材料、器件制备技术的研究、开发与生产。南京诺德新能源科技有限公司由海外归国的资深材料生长、器件制备专家带领,建立了自主知识产权的专利技术,完全可以满足电力电子器件的应用需求。

 

 

材料指标

l 材料厚度:3.5-8微米;

l 击穿电压 >750V

l 方块电阻<350Ω/;

l 二维电子气特性:浓度ns=6E12cm-2-1.4E13cm-2;室温迁移率1300-2300 cm2 / V s

 

 

材料结构

l 标准HMET结构:20-25nmAlGaN Al组分22%-28%可控)

l 2nm-10nmSiNx表面钝化层结构;

l 10nm InAlN结构;

l 标准50-150nmpGaN增强型结构;

l 其它各种定制材料结构;

 

应用领域

电力电子器件

      氮化镓基电力电子器件的导通电阻只有硅基器件的千分之一,极大地降低了开关器件的导通损耗。而且氮化镓基电力电子器件的开关频率是硅器件的20倍,大大减小了电路中储能元件的体积和开关损耗,从而成倍地减小设备体积,减少贵重原材料消耗。另外氮化镓基电力电子器件可以工作在600℃的高温,并有抗辐射的优势,特别适用于环境恶劣的场合,提高系统的可靠性。因此,把氮化镓基材料应用于电力电子器件能够突破硅材料对器件性能的限制,极大地提高电力管理效率,减少能源消耗。

 

 

 

氮化镓应用在电力电子领域的优势:
高转换效率:氮化镓的禁带宽度是硅的3倍,击穿电场是硅的10倍。因此,同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻比硅器件低3个数量级,大大降低了开关的导通损耗。

高工作频率:氮化镓开关器件寄生电容小,工作效率可以比硅器件提升至少20倍,大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积,从而成倍地减小设备体积,减少铜等贵重原材料的消耗。

高使用环境温度:氮化镓的禁带宽度高达3.4eV,本征电子浓度极低,电子很难被激发,因此氮化镓器件理论上可以工作在800摄氏度以上的残酷环境,降低系统使用周期成本。

应用领域

开关电源、适配器、充电器、充电桩、电焊机、太阳能逆变器、风能变频器、电动汽车、通信电源、数据中心等领域。

     


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