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产品详情
产品名称:468英寸硅基氮化镓HEMT外延片
诺德新能源一直致力于4/6/8英寸硅氮化镓外延材料、器件制备技术的研究、开发与生产。xxx由海外归国的资深材料生长、器件制备专家带领,建立了自主知识产权的专利技术,完全可以满足电力电子器件的应用需求。






材料结构:

l  标准HMET结构:20-25nmAlGaN (Al组分22%-28%可控)
l  2nm-10nmSiNx表面钝化层结构;
l  10nm InAlN结构;
l  标准50-150nmpGaN增强型结构;
l  其它各种定制材料结构;

应用领域:

电力电子器件
      氮化镓基电力电子器件的导通电阻只有硅基器件的千分之一,极大地降低了开关器件的导通损耗。而且氮化镓基电力电子器件的开关频率是硅器件的20倍,大大减小了电路中储能元件的体积和开关损耗,从而成倍地减小设备体积,减少贵重原材料消耗。另外氮化镓基电力电子器件可以工作在600℃的高温,并有抗辐射的优势,特别适用于环境恶劣的场合,提高系统的可靠性。因此,把氮化镓基材料应用于电力电子器件能够突破硅材料对器件性能的限制,极大地提高电力管理效率,减少能源消耗。


 
应用领域:
 
开关电源、适配器、充电器、充电桩、电焊机、太阳能逆变器、风能变频器、电动汽车、通信电源、数据中心等领域。广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下数码电子设备、家用电器、电动汽车、太阳能发电等电源管理应用市场,提供了更紧凑、更高效的解决方案。广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下数码电子设备、家用电器、电动汽车、太阳能发电等电源管理应用市场,提供了更紧凑、更高效的解决方案。

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