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SiC衬底GaN HEMT外延片提供
作者:管理员    发布于:2018-03-28 10:17:21    文字:【】【】【
随着5G无线通信时代的来临,用于射频领域的SiC衬底GaN HEMT将面临爆发性增长。南京诺德新能源科技公司开始提供 2/3/4/6英寸的SiC衬底的GaN HEMT 外延片,该系列外延片面向微波射频应用,特别是5G通信基站。其具有功率大,带宽高、稳定性好等优势。
 
 
应用领域:微波功率器件和电力电子器件制作
 
GaN HEMT外廷片规格
 
Cap layer
 
AlGan(lnAIN)barrier
 
Buffer layer
 
SiC substrate
参数名称 数值
外廷片尺寸 2~4英寸
2DEG浓度 6~20E+12cm¯²
2DEG迁移率 ~2000CM²/V-s
方块电阻 250~550Ω/□
方块电阻不均匀性 <2%
GaN(002)面半高宽(FWHM) <200 arcsec
GaN(102)面半高宽(FWHM) <300 arcsec


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